Estetica｜Alta efficienza｜Alta affidabilità｜Elevata potenza in uscita per watt
Caratteristiche
- Illuminazione dell’area totale
- Tecnologia di produzione dell’energia da tutti gli atomi di c-Si
- Elettrodi con tecnologia All Back
- Contatti passivati con tecnologia All Back
- Tecnologia di metallizzazione totalmente Ag-free
- Controllo del rischio di hotspot e garanzia della produzione di energia per l’intero ciclo di vita
Descrizione
Soluzione di proprietà che supera le barriere tecniche per le celle di tipo N
Prendendo spunto dal primo prodotto di punta ideato dal Centro Lianchuang, AIKO ha sviluppato attrezzature di base e processi di produzione in serie protetti da diritti di proprietà intellettuale completamente indipendenti.
Una svolta tecnologica storica nella metallizzazione senza argento
La tecnologia ABC, priva di argento, garantisce la produzione di energia e riduce significativamente il rischio di rottura della griglia delle celle di silicio cristallino. Inoltre, evitando l’uso dei fili in argento, non pregiudica la vita utile dei componenti.
Cella rivoluzionaria di tipo N con contatto Full Back
Priva di griglie metalliche anteriori, assorbe il 100% della luce solare e offre eccellenti prestazioni in termini di resistenza al degrado della luce e alle sollecitazioni meccaniche; basso coefficiente di temperatura, maggiore resistenza alle alte temperature, alta efficienza e cura dell’estetica.
Nuovo stabilimento di produzione intelligente a Zhuhai
Nel quarto trimestre del 2022 sono entrati in funzione 6,5 GW presso la sede AIKO di Zhuhai, che copre un’area di circa 73 ettari, con una capacità produttiva prevista di 26 GW. Nel terzo trimestre del 2023 si è aggiunta una capacità produttiva di 10 GW per celle e moduli ABC.
Ampie prospettive di sviluppo tecnologico
In futuro, la tecnologia ABC potrà combinarsi con altre tecnologie come la perovskite, il seleniuro di rame, indio e gallio, il tellururo di cadmio, le celle solari a film sottile ecc.
Alta efficienza｜Alta affidabilità｜Rendimento elevato｜Tecnologia di “metrologia e classificazione delle celle bifacciali”
Dimensioni
- 182 mm × 182 mm（diametro 247±0,5 mm）
- 210 mm × 210mm (diametro 295±0,25 mm)
- Spessore: 160±20 μm
Caratteristiche
Cella bifacciale Mono PERC 10BB da 182 mm
- Fronte (−): rivestimento antiriflesso composito in nitruro di silicio blu + ossido di silicio (senza PID); fronte con tecnologia half-cut; busbar con testa a forcella doppia e punti di contatto alternati. Il punto di contatto della testa misura di 1,2 ± 0,15 mm * 1,3 ± 0,15 mm e il punto di contatto centrale del busbar misura 0,8 ± 0,15 mm * 1 ± 0,15 mm.
- Retro (+): strato passivato (AlOx e SiNx) e contatto posteriore (Al); l’elettrodo posteriore è costituito da un busbar a 10 bandelle e 160 dita in AI. Il busbar è stretto, la sua larghezza misura rispettivamente 1,5 ± 0,3 mm e 1,0 ± 0,3 mm. Anodo in argento a 8 sezioni, 1,45±0,3 mm, nessun motivo laser sotto l’elettrodo posteriore. L’elettrodo in argento ha testa rotonda e presenta una cavità di 1,5±0,6 mm a entrambe le estremità.
Cella bifacciale Mono PERC 12BB da 210 mm
- Fronte (-): rivestimento antiriflesso composito in nitruro di silicio blu + biossido di silicio (senza PID); design a tre segmenti, busbar a 12 bandelle e 120-180 dita; il busbar è largo 0,06±0,02 mm con design a tre segmenti e ha due teste a forcella (misura (1,3±0,2) mm × (1,0±0,1) mm); i 4 punti di contatto nel punto di giunzione tra il busbar e le dita misurano (1,2±0,2) mm × (0,5±0,2) mm.
- Retro (+): doppio strato di AlOX e SiNX e contatto posteriore; l’elettrodo posteriore è costituito da un busbar composito a 12 bandelle e 150-250 dita in Al, 8 sezioni, anodo in argento da 1,4±0,3 mm.
Cella bifacciale Mono PERC 9BB da 210 mm
- Fronte (-): rivestimento antiriflesso composito in nitruro di silicio blu + biossido di silicio (senza PID); design a tre segmenti, busbar a 9 bandelle e 120-180 dita; il busbar è largo 0,08±0,03 mm con design a tre segmenti e ha due teste a forcella (misura (1,5±0,1) mm × (1,2±0,1) mm); i 4 punti di contatto nel punto di giunzione tra il busbar e le dita misurano (1,5±0,15) mm × (1,0±0,15 mm).
- Retro (+): contatto posteriore a doppio strato in AlOX e SiNX; l’elettrodo posteriore è costituito da un busbar composito a 9 bandelle e 150-250 dita in Al, 9 sezioni, anodo in argento da 1,8±0,2 mm.
