Hohe Leistung

Silizium-Wafer mit extrem hoher Widerstandsfähigkeit Ein Durchbruch hinsichtlich Wirkungsgrad Bottlenecks Etwa 10-fach erhöhte Lebensdauer von Minoritätsladungsträgern

Keine Frontkontakte Um 3 % größere Lichtabsorptionsfläche

Kombiniert mit 0BB (Null Busbars) String-Löttechnologie Weniger elektrische Verluste

Präzises überdeckendes Löten, eliminiert Zwischenräume zwischen den Zellen, Lichtabsorptionsfläche ist um 0,5 % vergrößert

Stringverbinder sind verdeckt, Lichtabsorptionsfläche um 1,1 % vergrößert